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探究金屬管浮子流量計在納米級空間中的阻礙
發布日期：2019-11-20 11:30:43 來源： 作者： 瀏覽次數：
【導讀】：該團隊與TU Delft的van der Zant實驗室合作，設法在電極之間的納米級空間中捕獲并檢查了廣泛使用的參考分子，以確認金屬管浮子流量計技術并未阻礙分子結的形成。 共同作者之一Shyamprasad Natarajan Raja說，這種金屬管浮子流量計技術為結構可擴展生產的僵局提供了突破，這有一天可能使包含單個分子的電子設備成為可能。......
開發金屬管浮子流量計的新的更快，可擴展的方法
電子學的未來部分取決于硅導體的修改和發展。
分子電子學可以為此做出貢獻，并且該領域的研究人員一直在致力于開發可擴展的納米級電極，該電極可用于探索和操縱分子行為以使電子材料受益。
現在，KTH的微和納米系統系的一個團隊已成功開發出一種方法，可以開發數百萬個可行的納米級分子結。該發現非常近在《自然通訊》上有報道。
科學家聲稱，使用直徑為100 mm的薄晶圓，他們可以在五個小時內使用脆性材料頂部的金膜形成裂紋，從而制作多達2000萬個這種電極。
該團隊與TU Delft的van der Zant實驗室合作，設法在電極之間的納米級空間中捕獲并檢查了廣泛使用的參考分子，以確認金屬管浮子流量計技術并未阻礙分子結的形成。
共同作者之一Shyamprasad Natarajan Raja說，這種金屬管浮子流量計技術為結構可擴展生產的僵局提供了突破，這有一天可能使包含單個分子的電子設備成為可能。
關鍵是要形成能引起隧道現象的間隙，在該隧道中，電子占據了電路中的突破口。
斷裂結具有幾個原子大小的間隙，這會中斷電子的流動。
但是，該間隙很小，具有足夠能量的電子仍然可以跳過它。
隧道電子能承受很小但可測量的電流，該電流對間隙的大小以及間隙中納米物體的存在非常敏感。
該技術使用光刻技術在氮化鈦（TiN）上構圖一堆金。
將該疊層放置在金屬管浮子流量計上，新形成的缺口結構會集中應力。
當去除疊層正下方的硅時（一種稱為釋放刻蝕的工藝），在TiN的預定位置會形成細小裂紋，從而釋放應力。
反過來，這會使金變形，將其拉伸成原子細線穿過這些裂紋，斷裂時會形成像分子一樣小的間隙。
Raja說，該技術可以用于其他金屬管浮子流量計，具有出色的化學，電學和等離子體特性，可用于分子電子學和自旋電子學，生物傳感和納米等離子體學。
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